LEEM-8磁気抵抗効果実験装置
注意: オシロスコープは含まれていません
このデバイスは構造がシンプルで、コンテンツが豊富です。GaAsホールセンサーを使用して磁気誘導強度を測定するセンサーと、異なる磁気誘導強度でのInSb磁気抵抗センサーの抵抗を調べるセンサーの2種類を使用します。研究や設計実験を特徴とする半導体のホール効果や磁気抵抗効果を観察することができます。
実験
1.InSbセンサーの抵抗変化と印加磁場強度を比較します。実験式を見つけます。
2.InSbセンサーの抵抗と磁場の強さをプロットします。
3.弱い磁場下でのInSbセンサーのAC特性を調べます(周波数倍増効果)。
仕様
説明 | 仕様 |
磁気抵抗センサーの電源 | 0〜3mA調整可能 |
デジタル電圧計 | 範囲0-1.999V分解能1mV |
デジタルミリテスラメーター | 範囲0-199.9mT、解像度0.1 mT |
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