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LEEM-8磁気抵抗効果実験装置

簡単な説明:

注:オシロスコープは付属していません

この装置は構造がシンプルでありながら、内容が充実しています。2種類のセンサーを使用しており、1つはGaAsホールセンサーで磁束密度を測定し、もう1つはInSb磁気抵抗センサーの抵抗を異なる磁束密度下で調べます。学生は、研究・設計実験を通して、半導体のホール効果と磁気抵抗効果を観察することができます。


製品詳細

商品タグ

実験

1. InSbセンサーの抵抗変化と印加磁場強度の関係を調べ、経験式を求めます。

2. InSbセンサーの抵抗値を磁場強度に対してプロットする。

3. 弱い磁場下におけるInSbセンサーの交流特性(周波数倍増効果)を研究する。

 

仕様

説明 仕様
磁気抵抗センサーの電源 0~3mA調整可能
デジタル電圧計 測定範囲:0~1.999V、分解能:1mV
デジタルミリテスラメーター 測定範囲:0~199.9 mT、分解能:0.1 mT

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